חוקרים מאוניברסיטת ליהיי בבית לחם, פנסילבניה, הצליחו לאחרונה לזהות לראשונה עלייה בביצועים במוליכות החשמלית של רשתות ננו-חוטים אקראיות המושגת על ידי הגבלה קלה של כיוון ננו-חוטים. מה שמיוחד בתוצאות המחקר, עם זאת, הוא שהתצורות המאורגנות בכבדות יותר אינן מבצעות ביצועי יתר של התצורות המסודרות באופן אקראי. במקרה של ננו-חוטי מתכת, הכיוון האקראי גורם לעלייה במוליכות. בגיליון מאי הנוכחי של כתב העת "Scientific Reports Nature" פורסמו תוצאות המחקר של ד"ר טנסו וצוות המחקר שלו. עבודת החוקרים מתמקדת בפיתוח מודל ממוחשב המדמה רשת מתכת-ננו-חוטים שתאיץ את התהליך והתצורה של ננו-חוטים אידיאליים. המודל של קבוצת המחקר של ד"ר טנסו מאשר תוצאות מחקר ישנות יותר מדוחות ניסיוניים שכבר בוצעו.
ננו-חוטי מתכת כתחליפי ITO
נכון לעכשיו, תחמוצת בדיל אינדיום (ITO) היא החומר הנפוץ ביותר עבור מוליכים שקופים בצגים שטוחים, מסכי מגע PCAP, תאים סולריים ודיודות פולטות אור. מאז, בנוסף מוליכות גבוהה מאוד, יש לו גם שקיפות גבוהה. עם זאת, טכנולוגיה מבוססת ITO אינה מעודכנת עוד. מצד אחד, החומר הופך לאט לאט נדיר, הוא יקר לייצור ושביר מאוד, וזה מאפיין לא רצוי במיוחד עבור הטכנולוגיות העתידיות שלנו היום בתחום האלקטרוניקה הגמישה.
